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Graphene film on Ni/SiO2/Si 100mm dia
· 대표판매가
10원
· 공  급  원
해외제조사
· 판  매  처
주식회사 비전랩사이언스
· 연  락  처
032-861-0282
· 리 드 타 임
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Graphene film on Ni/SiO2/Si 100mm dia





산화된 실리콘 웨이퍼 위에 증착된 Ni/SiO2/Si 위에 CVD 공정을
이용하여 그래핀™ 필름을 직접 성장시킵니다.

사양:  연구 등급, 약 90%의 유용한 영역

웨이퍼크기 : 직경 100mm
성장 방법:화학기상증착법 
필름두께 : 1~10단일층두께
그래핀 필름은 다층으로 두께가 1-10층 범위 내에서 다양한 것을 특징으로 하는 그래핀 필름
그래핀 층들은 라만 스펙트럼에 의해 표시된 바와 같이 각각(그래파이트-유사 A-B 스태킹)에
대해 정렬되는 것인, 그래핀 층들
그래핀은 CVD 공정을 통해 Ni 막 위에서 성장됩니다.
니켈 필름은 열 성장된 산화물 층으로 덮인 기판에 증착됩니다.
Ni층의 두께는 400nm입니다.
실리콘 산화물층의 두께는 500nm입니다.
웨이퍼의 두께는 500μm입니다.
실리콘의 결정학적 방향은 100입니다.
필름은 결함 밀도가 낮은 연속적입니다.
원자박막 (1-10층)
우수한 전자 특성
화학적 불활성 및 안정성
전무후무한 기계적 강도





그래핀 필름 구조: 3개의 필름
그래핀 필름 두께는 탄소 1~10층까지 다양합니다.




 
광학 미세구조 사진





라마 스펙트럼




 


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