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SOI 웨이퍼, SOI Wafer
· 대표판매가
10
· 공  급  원
국내제조사
· 판  매  처
주식회사 비전랩사이언스
· 연  락  처
032-861-0282
· 리 드 타 임
재고/예정재고가 없을시 약 2024-12-21일 납품가능 합니다.
· 옵 션 보 기
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SOI 웨이퍼





장치 실리콘

성장방법 : CZ
일반 두께 : 40um (최소 3um)
도핑 유형 : P 또는 N
도펀트 : 붕소 또는 인
오리엔테이션 (100)


매립 산화물

산화물 타입 : 열성장
산화물 두께 : 1000nm ± 50nm


핸들 실리콘

오리엔테이션 : (100) ± 1°
두께 : 500um/650um
도핑타입 : P타입 (Boron)
뒷면 마감 광택 처리


원산지 : 한국
팩 : 10개/팩




 
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